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Descripción:
| Característica | Detalles |
|---|---|
| Tipo de producto | Disco duro |
| Marca | Samsung |
| Modelo | 990 1TB Samsung V NAND PCIe Gen 4 x4 NVMe M.2 Internal SSD |
| Número de parte | MZ-V9V1T0B/AM |
| UPC | 198957280818 |
| Color | Black |
| Capacidad | 1TB |
| Interfaz | PCIe Gen 4 x 4 |
| Factor de forma | M.2 2280 M Key |
| Arquitectura | Samsung V NAND |
| Velocidad de lectura | Up to 7,150MBps |
| Escritura aleatoria 4K | Up to 1,100,000 IOPS |
| Lectura aleatoria 4K | Up to 700,000 IOPS |
| Resistencia (TBW) | 400 TBW |
| SSD Features | 256-bit AES Encryption |
| Power Usage - Read/Write | 4.0 Watts / 3.7 Watts |
| MTBF | 1,500,000 Hours |
